——TI首次涉足功率器件領(lǐng)域，憑什么？

拍案驚奇，TI也做功率器件了

拿著(zhù)TI的媒體說(shuō)明會(huì )邀請函，我使勁眨了幾下眼睛，幾乎不相信這是真的，但上面明明寫(xiě)著(zhù)“TI新推出的功率MOSFET系列器件……”。你要是說(shuō)Fairchild、英飛凌、IR、安森美、Vishay什么的發(fā)出這封邀請，倒也不奇怪。

的確，TI一直都在推DC/DC轉換器，但此DC/DC非彼DC/DC，明眼人一看，就知道TI產(chǎn)品都是功率管理IC陣營(yíng)的，電流最多就幾百毫安，但Fairchild等做的低壓分立器件，電流幾十安。

MOSFET已經(jīng)做了十幾年了，市場(chǎng)分割已趨成熟。TI為何要涉足此領(lǐng)域，因此，2010年1月20日，我也好奇地來(lái)赴此次會(huì )議。

TI龍卷風(fēng)：DualCool NexFET PK 溝槽架構好在哪兒？

我首先看到了新聞資料，2009年2月17日，TI收購CICLON半導體公司。CICLON諧音Cyclone（龍卷風(fēng)），其意不言自明。再一看，果然有專(zhuān)利的名為NexFET（我猜是next MOSFET的含義）的MOSFET，可通過(guò)大幅減少柵極電荷提供性能和優(yōu)化尺寸，而不同于通常采用的溝槽技術(shù)。

TI稱(chēng)NexFET堪比上世紀90年代興起的溝槽構造（圖1）。我猜TI指的是Fairchild等公司的Trench，但Fairchild現在已經(jīng)推出SupreMOS(圖2)——一種專(zhuān)利的深溝槽技術(shù)，其他公司也有各種專(zhuān)利，TI卻在此沒(méi)有陳述。


圖1 TI的NexFET構造

不僅如此，TI在消化CICLON近1年后，又添油加醋，開(kāi)發(fā)了專(zhuān)利的DualCool NexFET。我們知道英飛凌有個(gè)著(zhù)名的CoolMOS，我估摸著(zhù)DualCool是沖著(zhù)英飛凌來(lái)的，Dual（雙）的含義是增加了頂端散熱，TI的官話(huà)是：使功率轉換產(chǎn)生的熱量能通過(guò)對流冷卻從頂端散出（圖2）。


圖2 DualCool的頂端散熱

TI這次推出了五款產(chǎn)品，新聞點(diǎn)主要是：在標準尺寸下將散熱效率提升80%，允許電流提高50%。但是請注意，正如圖1所示，“標準”MOSFET平面構造是上世紀80年代的典范，21世紀了，技術(shù)也該升級了吧。

而且，一般公司喜歡拿出和競爭對手的性能指標曲線(xiàn)來(lái)比較，TI此次還沒(méi)來(lái)得及給大家展示。

TI為何對功率器件拍案？

TI非等閑之輩。他想進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域，可能也不是貪圖小利，更不是為了財務(wù)報表美觀(guān)那點(diǎn)虛榮。據TI中國區電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師—吳濤介紹(圖3)，TI想涉足電源分立器件領(lǐng)域，進(jìn)而在電源領(lǐng)域的份量更重。吳濤說(shuō)，TI目前的電源功率器件IC領(lǐng)域只能為T(mén)I帶來(lái)TAM（整個(gè)累積市場(chǎng)）1.50美元的價(jià)值，進(jìn)入低壓FET領(lǐng)域，可以達到TAM 4.50美元。請注意，這數字精確到0.01美元，可見(jiàn)TI在乎這塊市場(chǎng)。


圖3 TI在電源器件市場(chǎng)的位置

因此，可以相信，此次MOSFET拍案驚奇，是TI向整個(gè)電源市場(chǎng)邁出的戰略一大步！


照片：TI中國區電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展工程師—吳濤


圖4 五款產(chǎn)品