杭州士蘭微電子近期推出了滿(mǎn)足能源之星6級能效標準的SD696X系列芯片，該系列芯片內置高壓MOSFET及QR（準諧振）+PWM+PFM控制回路，具有多種高效的工作模式，在不同負載條件下均可實(shí)現最優(yōu)效率，滿(mǎn)足能源之星LEVEL6 (EPS2.0)的效率要求。SD696X系列芯片覆蓋8~18W輸出功率，可廣泛應用于機頂盒、DVD播放機、電源適配器等整機產(chǎn)品。

SD696X系列芯片采用了峰值電流補償和抖頻等多項自主專(zhuān)利技術(shù)。其中，峰值電流補償專(zhuān)利技術(shù)可確保高低壓下整機最大輸出功率一致性，同時(shí)又可以減小上電過(guò)程中變壓器的應力，防止變壓器飽和。而抖頻的專(zhuān)利技術(shù)則可以?xún)?yōu)化整機EMI性能。

該系列芯片具有多種高效的工作模式：

高壓輸入重載：工作在QR模式下，以減小開(kāi)關(guān)損耗，最大頻率限制在80KHz；

低壓輸入重載：以PWM模式工作；

輕載：以PFM模式工作，通過(guò)降低開(kāi)關(guān)頻率提高轉換效率；

空載或極輕載：以打嗝模式工作，降低的待機功耗。

同時(shí)，芯片可以通過(guò)內置電流采樣電阻和優(yōu)化降頻曲線(xiàn)等方法進(jìn)一步優(yōu)化轉換效率。

此外，SD696X系列芯片內部集成各種保護功能，可確保整機在各種異常狀態(tài)下的安全工作。保護功能包括欠壓保護、過(guò)壓保護、過(guò)載保護、過(guò)溫保護和脈沖前沿消隱功能等。

SD696X系列芯片基于士蘭微電子自主研發(fā)的BCD工藝平臺，采用了DIP-8的封裝形式，內置了650V高壓功率MOSFET，具有集成度高、占板面積小、便于整機調試等突出的特點(diǎn)。相對于采用分立的控制芯片和功率MOSFET的應用方案來(lái)說(shuō)，不僅降低了綜合成本，而且大幅度提高了芯片的可靠性，可以為滿(mǎn)足能源之星6級能效的電源系統提供最優(yōu)的解決方案。