圖1是升壓開(kāi)關(guān)轉換器電路，它有一個(gè)眾所周知的問(wèn)題：如果將升壓轉換器IC₁的輸入拉低來(lái)關(guān)斷升壓轉換器，外接電感L₁和正向偏置肖特基二極管D₁就可以讓負載繼續引出電流。對于電池供電的設備來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)沉重的負載（300 mA）。這種無(wú)用的直流電流路徑可能會(huì )很快耗盡電池電量。增加一個(gè)N溝道MOSFET Q₁和一個(gè)100 k電阻器R₁就可以在斷電時(shí)斷開(kāi)無(wú)用的電流路徑，從而解決這個(gè)問(wèn)題。這樣的電路適宜由微控制器處理電源管理問(wèn)題的電池供電系統應用。

在輸入端施加一個(gè)邏輯低電平可同時(shí)關(guān)斷開(kāi)關(guān)轉換器MAX756，并關(guān)斷MOSFET，因此通過(guò)去除負載的對地連接而阻斷負載電流。當信號被去掉以后，100 kΩ的上拉電阻器將MOSFET柵極電位拉高，使MOSFET導通。隨著(zhù)接地的重新連接，負載又可以從工作的升壓轉換電路中獲得電流。

為了在大負載電流下獲得最佳結果， 要為Q₁選擇有適當低的導通電阻的邏輯低電平MOSFET。MOSFET的漏源擊穿電壓也應能承受至少兩倍的來(lái)自升壓轉換器的最大輸出電壓。必要時(shí)，可以將兩支以上MOSFET并聯(lián)，以降低MOSFET的有效導通電阻。