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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
文章來(lái)源: 更新時(shí)間:2013/7/29 10:40:00
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用肖特基二極管實(shí)現多電源系統有多種方式。例如,μTCA網(wǎng)絡(luò )及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統都在其冗余電源系統中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統,例如AC交流適配器和備份電池饋送。問(wèn)題是,肖特基二極管由于正向壓降而消耗功率,所產(chǎn)生的熱量必須用PCB上專(zhuān)門(mén)的銅箔區散出,或者通過(guò)由螺栓固定到二極管上的散熱器散出,這兩種散熱方式都需要占用很大的空間。

凌力爾特公司的一個(gè)產(chǎn)品系列用外部N溝道MOSFET作為傳遞組件,最大限度地降低了功耗,從而在這些MOSFET接通時(shí),最大限度地減小了從電源到負載的壓降,這個(gè)產(chǎn)品系列包括 LTC4225、LTC4227和LTC4228。當輸入電源電壓降至低于輸出共模電源電壓時(shí),關(guān)斷適當的MOSFET,從而使功能和性能上與理想二極管匹配。
如圖1所示,通過(guò)增加一個(gè)電流檢測電阻器,并配置兩個(gè)具備單獨柵極控制的背對背MOSFET,LTC4225憑借浪涌電流限制和過(guò)流保護提高了理想二極管的性能。這就允許電路板安全地插入或從帶電背板拔出,而不會(huì )損壞連接器。LTC4227可以這樣使用:在并聯(lián)連接的理想二極管MOSFET之后,增加電流檢測電阻器和熱插拔(Hot Swap) MOSFET,以節省一個(gè) MOSFET。通過(guò)在理想二極管和熱插拔MOSFET之間配置檢測電阻器,LTC4228比LTC4225有了改進(jìn),LTC4228能更快地從輸入電壓欠壓中恢復,以保持輸出電壓不變。


圖1:采用檢測電阻器和外部N溝道MOSFET的LTC4225、LTC4227和LTC4228的不同配置
* ADDITIONAL DETAILS OMITTED FOR CLARITY:* 為清晰起見(jiàn),略去了一些細節

LTC4225-1、LTC4227-1和LTC4228-1具備鎖斷電路斷路器,而LTC4225-2、LTC4227-2和LTC4228-2提供故障后自動(dòng)重試功能。LTC4225、LTC4227和LTC4228的兩種版本均分別采用24 引腳、20引腳和28引腳4mm x 5mm QFN以及SSOP封裝。

理想二極管控制

LTC4225和LTC4228用一個(gè)內部柵極驅動(dòng)放大器監視IN和OUT引腳 (就LTC4227而言是IN和SENSE+引腳) 之間的電壓,起到了理想二極管的作用,該放大器驅動(dòng)DGATE引腳。當這個(gè)放大器檢測到大的正向壓降(圖2) 時(shí),就快速拉高DGATE引腳,以接通MOSFET,實(shí)現理想二極管控制。


圖2:當IN電源接通時(shí),拉高理想二極管控制器CPO和DGATE引腳
CPO和IN引腳之間連接的外部電容器提供理想二極管MOSFET快速接通所需的電荷。在器件加電時(shí),內部充電泵給這個(gè)電容器充電。DGATE引腳提供來(lái)自CPO引腳的電流,并將電流吸收到IN和GND引腳中。柵極驅動(dòng)放大器控制DGATE引腳,以跟隨檢測電阻器和兩個(gè)外部N溝道MOSFET上的正向壓降,直至25mV。
如果負載電流引起超過(guò)25mV的壓降,那么柵極電壓就上升,以加強用于實(shí)現理想二極管控制的MOSFET。在MOSFET導通時(shí),如果輸入電源短路,那么會(huì )有很大的反向電流開(kāi)始從負載流向輸入。故障一出現,柵極驅動(dòng)放大器就會(huì )檢測到故障情況,并拉低DGATE, 以斷開(kāi)理想二極管MOSFET。

熱插拔控制

拉高ON引腳并拉低/EN引腳,就啟動(dòng)了一個(gè)100ms的防反跳定時(shí)周期。在這個(gè)定時(shí)周期結束之后,來(lái)自充電泵的10μA電流使HGATE引腳斜坡上升。當熱插拔MOSFET接通時(shí),浪涌電流被限制到由外部檢測電阻器設定的值上,就LTC4225而言,該電阻器連接在IN和SENSE引腳之間 (就LTC4227和LTC4228而言,是SENSE+和SENSE-引腳)。有源電流限制放大器伺服 MOSFET的柵極,這樣電流檢測放大器上就會(huì )出現65mV的電壓。如果檢測電壓高于50mV的時(shí)間超過(guò)了在TMR引腳端配置的故障過(guò)濾器延遲時(shí)間,那么電路斷路器就斷開(kāi),并拉低HGATE。如果需要,可以在HGATE和GND之間增加一個(gè)電容器,以進(jìn)一步降低浪涌電流。當MOSFET柵極的過(guò)驅動(dòng) (HGATE至OUT的電壓) 超過(guò)4.2V時(shí),拉低/PWRGD引腳 (圖 3)。


圖3:當ON引腳切換到高電平時(shí),在100ms延遲之后,熱插拔控制器HGATE啟動(dòng),PWRGD被拉低

理想二極管和熱插拔控制相結合

在一個(gè)采用冗余電源的典型μTCA應用中 (圖4和9),在背板上對輸出進(jìn)行二極管“或”,以不用斷開(kāi)系統電源,就可以取出或插入板卡。LTC4225和LTC4228都包括理想二極管和熱插拔控制器,非常適用于這類(lèi)應用,這些器件在兩個(gè)電源之間提供平滑的電源切換,還提供過(guò)流保護。


圖4:在μTCA應用中,LTC4225為兩個(gè)μTCA插槽提供12V電源
PLUG-IN CARD-1:插入式板卡 1
BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR:降壓模式電源旁路電容器
BACKPLANE:背板

如果主電源掉電,那么控制器就快速響應,以斷開(kāi)主電源通路中的理想二極管MOSFET,并接通冗余電源通路中的MOSFET,從而向輸出負載提供平滑的電源切換。熱插拔MOSFET保持接通,這樣這些MOSFET就不會(huì )影響電源切換。當各自的ON引腳被拉低,或/EN引腳被拉高時(shí),控制器斷開(kāi)熱插拔MOSFET。當在輸出端檢測到過(guò)流故障時(shí),熱插拔MOSFET的柵極被快速拉低,之后輸出就穩定在電流限制值上,直至由TMR引腳電容器設定的故障過(guò)濾器延遲超時(shí)為止。熱插拔MOSFET斷開(kāi),/FAULT引腳鎖定在低電平,以指示出現了故障。通過(guò)將ON引腳拉至低于0.6V,可以使電子電路斷路器復位。

電源優(yōu)先級
在傳統的二極管“或”多電源系統中,由電壓較高的輸入電源給輸出供電,同時(shí)擋住電壓較低的電源。這種簡(jiǎn)單的解決方案滿(mǎn)足了應用的需求,在這應用中,電源的優(yōu)先權不僅是電壓較高的電源就優(yōu)先的問(wèn)題。圖5顯示了一個(gè)備份電源系統,在這個(gè)系統中,無(wú)論何時(shí),只要5V主電源(INPUT1)可用,就由該電源給輸出供電,而12V備份電源(INPUT2)僅當主電源無(wú)法提供時(shí)才會(huì )使用。
只要INPUT1高于由ON1引腳端的R1-R2分壓器設定的4.3V UV門(mén)限,MH1就接通,從而將INPUT1連接到輸出。當MH1接通時(shí),/PWRGD1變低,這又將ON2拉低,并通過(guò)斷開(kāi)MH2來(lái)停用IN2通路。如果主電源無(wú)法提供,且INPUT1降至低于4.3V,那么ON1就斷開(kāi)MH1,且/PWRGD1變高,從而允許ON2接通MH2,并將INPUT2連接到輸出。在任何情況下,理想二極管MOSFET MD1和MD2都要防止一個(gè)輸入到另一個(gè)輸入的反向饋送。


圖5:用 LTC4225實(shí)現以IN1作為優(yōu)先輸入的雙通道電源優(yōu)先級區分器
PRIMARY SUPPLY:主電源
BACKUP SUPPLY:備份電源

交換電源端和負載端的二極管和熱插拔FET
LTC4225允許采用背對背MOSFET的應用將在電源端的MOSFET配置為理想二極管,在負載端的MOSFET配置為熱插拔控制器(圖 4),反之亦然(圖6)。圖6中,在MOSFET的GATE和SOURCE引腳之間也許需要一個(gè)外部齊納二極管來(lái)箝位,以在MOSFET的柵源電壓額定值低于20V時(shí)防止MOSFET擊穿。無(wú)論是按照那安排,LTC4225憑借理想二極管在IN和OUT引腳之間的“或”連接,都能平滑地在電源之間切換。


圖6:用LTC4225實(shí)現在電源端具備熱插拔MOSFET、在負載端具備理想二極管MOSFET的應用
BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR:降壓模式電源旁路電容器
PLUG-IN CARD1:插入式板卡1
BACKPLANE:背板


雙理想二極管和單熱插拔控制器
圖7顯示了LTC4227的應用,其中檢測電阻器放置在并聯(lián)連接的雙電源理想二極管MOSFET之后,檢測電阻器之后是單個(gè)熱插拔MOSFET。圖中,在故障超時(shí)之前,LTC4227以1x電流限制調節過(guò)載輸出,而不像LTC4225二極管“或”應用那樣是以2x電流限制。因此,在過(guò)載情況下,功耗降低了。


圖7:用LTC4227實(shí)現具備熱插拔控制和存在板卡的二極管“或”應用
BACKPLANE CONNECTOR:背板連接器
CARD CONNECTOR:板卡連接器

LTC4227還具有/D2ON引腳,這允許非常容易地確定IN1電源的優(yōu)先級。例如,圖8顯示了一個(gè)簡(jiǎn)單的電阻分壓器,該分壓器將IN1連接到/D2ON引腳,這樣IN1電源一直都是優(yōu)先的,直至IN1降至低于2.8V為止,這時(shí),MD2接通,二極管“或”輸出從IN1端的主3.3V電源切換到IN2端的輔助3.3V電源。


圖8:通過(guò)LTC4227的D2ON,插入式板卡的IN1電源控制IN2電源的接通
BACKPLANE CONNECTOR:背板連接器
CARD CONNECTOR:板卡連接器

在輸入發(fā)生故障時(shí),更快地恢復輸出
在圖4所示的LTC4225 μTCA應用中,如果一個(gè)輸入電源出現故障,短暫接地,而另一個(gè)電源不可用,那么HGATE就被拉低,以隨著(zhù)IN電源降至低于欠壓閉鎖門(mén)限,而斷開(kāi)熱插拔 MOSFET。當輸入電源恢復時(shí),允許HGATE啟動(dòng)以接通MOSFET。因為給HGATE和已耗盡的輸出電容充電需要花一點(diǎn)時(shí)間,所以在此期間也許會(huì )出現輸出電壓欠壓情況。
在這種情況下,LTC4228能更快地恢復以保持輸出電壓不變,所以比LTC4225有優(yōu)勢。如圖9所示,檢測電阻器放置在理想二極管和熱插拔MOSFET之間,從而允許在輸入電源出現故障時(shí),靠輸出負載電容暫時(shí)保持SENSE+ 引腳電壓不變。這可防止SENSE+ 電壓進(jìn)入欠壓閉鎖狀態(tài),并防止斷開(kāi)熱插拔MOSFET。輸入電源在恢復的同時(shí),給已耗盡的負載電容充電,并即時(shí)給下游負載供電,因為熱插拔MOSFET仍然處于接通狀態(tài)。


圖9:用LTC4228實(shí)現為兩個(gè)μTCA插槽提供12V電源的μTCA應用
BULK SUPPLY BYPASS CAPACITOR:降壓模式電源旁路電容器
PLUG-IN CARD 1:插入式板卡 1
BACKPLANE:背板


結論
LTC4225、LTC4227和LTC4228通過(guò)控制外部N溝道MOSFET,為兩個(gè)電源軌實(shí)現了理想二極管和熱插拔功能。這些器件提供快速反向斷開(kāi)、平滑電源切換、有源電流限制以及狀態(tài)和故障報告功能。這些器件具有嚴格的5%電路斷路器門(mén)限準確度和快速響應電流限制,可保護電源免受過(guò)流故障影響。LTC4228能從輸入電壓欠壓狀態(tài)快速恢復,因此在面臨此類(lèi)事件時(shí),可保持輸出電壓不變。

 
 
 
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