50Hz交流電壓經(jīng)過(guò)全波整流后變成脈動(dòng)直流電壓u1，再通過(guò)輸入濾波電容得到直流高壓U1。在理想情況下，整流橋的導通角本應為180°(導通范圍是從 0°～180°)，但由于濾波電容器C的作用，僅在接近交流峰值電壓處的很短時(shí)間內，才有輸入電流流經(jīng)過(guò)整流橋對C充電。50Hz交流電的半周期為 10ms，整流橋的導通時(shí)間tC≈3ms，其導通角僅為54°(導通范圍是36°～90°)。因此，整流橋實(shí)際通過(guò)的是窄脈沖電流。橋式整流濾波電路的原理如圖1(a)所示，整流濾波電壓及整流電流的波形分別如圖l(b)和(c)所示。

最后總結幾點(diǎn)：

(1)整流橋的上述特性可等效成對應于輸入電壓頻率的占空比大約為30%。

(2)整流二極管的一次導通過(guò)程，可視為一個(gè)“選通脈沖”，其脈沖重復頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率(50Hz)。

(3)為降低開(kāi)關(guān)電源中500kHz以下的傳導噪聲，有時(shí)用兩只普通硅整流管(例如1N4007) 與兩只快恢復二極管(如FR106)組成整流橋，FRl06的反向恢復時(shí)間trr≈250ns。

2)整流橋的參數選擇

隔離式開(kāi)關(guān)電源一般采用由整流管構成的整流橋，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流。全波橋式整流器簡(jiǎn)稱(chēng)硅整流橋，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再用塑料封裝而成的半導體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數一致性好等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于開(kāi)關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個(gè)引出端，其中交流輸入端、直流輸出端各兩個(gè)。

硅整流橋的最大整流電流平均值分0.5～40A等多種規格，最高反向工作電壓有50～1000V等多種規格。小功率硅整流橋可直接焊在印刷板上，大、中功率硅整流橋則要用螺釘固定，并且需安裝合適的散熱器。

整流橋的主要參數有反向峰值電壓URM(V)，正向壓降UF(V)，平均整流電流Id(A)，正向峰值浪涌電流IFSM(A)，最大反向漏電流 IR(霢)。整流橋的反向擊穿電壓URR應滿(mǎn)足下式要求：

舉例說(shuō)明，當交流輸入電壓范圍是85～132V時(shí)，umax=132V，由式(1)計算出UBR=233.3V，可選耐壓400V的成品整流橋。對于寬范圍輸入交流電壓，umax=265V，同理求得UBR=468.4V，應選耐壓600V的成品整流橋。需要指出，假如用4只硅整流管來(lái)構成整流橋，整流管 的耐壓值還應進(jìn)一步提高。辟如可選1N4007(1A/1000V)、1N5408(3A/1000V)型塑封整流管。這是因為此類(lèi)管子的價(jià)格低廉，且按照耐壓值“寧高勿低”的原則，能提高整流橋的安全性與可靠性。

設輸入有效值電流為IRMS，整流橋額定的有效值電流為IBR，應當使IBR≥2IRMS。計算IRMS的公式如下：

式中，PO為開(kāi)關(guān)電源的輸出功率，η為電源效率，umin為交流輸入電壓的最小值，cosφ為開(kāi)關(guān)電源的功率因數，允許cosφ=0.5～0.7。由于整流橋實(shí)際通過(guò)的不是正弦波電流，而是窄脈沖電流(參見(jiàn)圖1)，因此整流橋的平均整流電流Id 例如，設計一個(gè)7.5V/2A(15W)開(kāi)關(guān)電源，交流輸入電壓范圍是85～265V，要求η=80%。將Po=15W、η=80%、umin=85V、 cosψ=0.7一并代入(2)式得到，IRMS=0.32A，進(jìn)而求出Id=0.65×IRMS=0.21A。實(shí)際選用lA/600V的整流橋，以留出 一定余量。