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2A開(kāi)關(guān)單節/兩節鋰電充電管理IC-VAS5175A應用設計注意事項
文章來(lái)源:永阜康科技 更新時(shí)間:2019/7/20 9:11:00
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1~2節鋰電池開(kāi)關(guān)型充電芯片VAS5175A

應用場(chǎng)景:
降壓型1~2節鋰電池充電
特點(diǎn):
●1MHz同步降壓
●可編程(最大2A)恒流充電
●高達93%的效率
●雙LED充電指示
●溫度補償、過(guò)溫度保護
●電池短路保護
●電池溫度檢測、異常保護
●高精度
■ ±1% 電池電壓(CV)
■ ±10% 充電電流(CC)

VAS5175A雙節串聯(lián)鋰電池充電

注:
1. 雙節充電設置:CELL引腳浮空。
2. 輸入使用肖特基二極管做防逆灌。
3. 充電電流等于30mV/RSNS,例如:RSNS=20mΩ,充電電流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX須使用RC減震線(xiàn)路;LX對GND使用肖特基續流二極管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V,輸入電解可以不使用;VIN>12V,須放置一顆100uF的電解電容來(lái)吸收電源插入時(shí)的浪涌
與突破。
6. TS需加0.1uF的濾波電容,消除TS浮空或純電阻下拔插產(chǎn)生雜訊所導致的誤動(dòng)作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充電RLED/BLED為ON/OFF;充飽或電池未接時(shí)RLED/BLED為OFF/ON;溫度異;螂姵囟搪窌r(shí)LED交互閃爍。
8. 充飽后, BLED轉為ON, 開(kāi)始36分鐘的背景涓充,計時(shí)完畢后停止充電。
9. 自帶熱反饋調節, IC EP要接PCB地鋪銅。

VAS5175A單節鋰電池充電

注:
1. 單節充電設置:CELL引腳接GND。
2. VIN<5.5V時(shí),輸入使用PMOS防逆灌;VIN>5.5V時(shí),輸入可以使用肖特基防逆灌(參考典型應用一)
3. 充電電流等于30mV/RSNS,例如:RSNS=20mΩ,充電電流=30mV/20mΩ=1.5A。
4. LX須使用RC減震線(xiàn)路;LX對GND使用肖特基續流二極管可以提升3%以上效率。
5. VIN 9.0~12V,輸入電解可以不使用;VIN>12V,須放置一顆100uF的電解電容來(lái)吸收電源插入時(shí)的浪涌
與突破。
6. TS需加0.1uF的濾波電容,消除TS浮空或純電阻下拔插產(chǎn)生雜訊所導致的誤動(dòng)作。TS接地可屏蔽NTC功能。
7. 充電RLED/BLED為ON/OFF;充飽或電池未接時(shí)RLED/BLED為OFF/ON;溫度異;螂姵囟搪窌r(shí)LED交互閃爍。
8. 充飽后, BLED轉為ON, 開(kāi)始36分鐘的背景涓充,計時(shí)完畢后停止充電。
9. 自帶熱反饋調節, IC EP要接PCB地鋪銅。

雙面面玻纖板設計

1. 紅色為電流路徑,請增大走線(xiàn)。
2. IC的EP須與底層GND相連。
3. 輸入1uF+0.1uF(C4+C3)的Cap起穩壓及濾波作用,布板時(shí)盡量靠近IC,并且GND端要與IC的GND(底部焊盤(pán))以最短距離相連。特別注意:如此點(diǎn)未處理好,會(huì )導致工作異;驍祿芷。
4. BS的Cap(C2),要盡量靠近IC,走線(xiàn)不宜過(guò)長(cháng)。
5. CS、BAT的直接從RSNS(R3)兩端采樣,避免走線(xiàn)帶來(lái)的阻抗導致電流的偏移。
6. CS、BAT前的兩顆0.1uF的濾波電容(C5+C6),布板時(shí)盡量靠近IC,兩顆電容需要共地,并且GND端要與IC的GND(底部焊盤(pán))以最短距離相連。
7. 輸入與輸出的電解電容,要更好的達到效果,電流路徑必須經(jīng)過(guò)此電解電容,如圖C1A、C8A所示。

單面玻纖板設計

1. 紅色為電流路徑,請增大走線(xiàn)。
2. 藍色為GND路徑,請嚴格按照此路走線(xiàn)。
3. 如果充電電流大于1A,為了避免輸入GND走線(xiàn)過(guò)細的問(wèn)題,C2可以換成插件使用在BS與LX之間,以增加輸入GND的延續性。
4. 輸入1uF+0.1uF(C4+C3)的Cap起穩壓及濾波作用,布板時(shí)盡量靠近IC,并且GND端要與IC的GND(底部焊盤(pán))以最短距離相連。特別注意:如此點(diǎn)未處理好,會(huì )導致工作異;驍祿芷。
5. BS的Cap(C2),要盡量靠近IC,走線(xiàn)不宜過(guò)長(cháng)。
6. CS、BAT的直接從RSNS(R3)兩端采樣,避免走線(xiàn)帶來(lái)的阻抗導致電流的偏移。
7. CS、BAT前的兩顆0.1uF的濾波電容(C5+C6),布板時(shí)盡量靠近IC,兩顆電容需要共地,并且GND端要與IC的GND(底部焊盤(pán))以最短距離相連。
8. 輸入與輸出的電解電容,要更好的達到效果,電流路徑必須經(jīng)過(guò)此電解電容,如圖C1A、C8A所示。

 
 
 
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