超級電容由于其充電次數，更好的瞬態(tài)性能，更簡(jiǎn)單的充電管理以及更少的環(huán)境污染，在很多應用中越來(lái)越受歡迎。多個(gè)電容單體（2.7V）串聯(lián)往往需要buck-boost充電拓撲來(lái)實(shí)現電源的充電管理。是一種集快速充電、電源路徑管理、保護功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實(shí)際應用中的一些注意事項。
   
1. 典型充電電路和充電曲線(xiàn)：

2. 加速充電過(guò)程
   
與鋰電池的預充電過(guò)程不同，超級電容可以直接快速充電，從而減少充電時(shí)間，可以采取如下兩種方式來(lái)減小芯片自帶的預充過(guò)程，
   
● 使用更低的檢流電阻Rsr=2mOhm.

默認是10 mOhm，相當于提升5倍的預充電流。
  
● 2去使能LDO 模式
   
為了保證芯片的zui小工作電壓，在預充過(guò)程充，BATFET處于LDO模式下，采用旁路模式也能加快充電速度，但會(huì )犧牲一部分系統電壓范圍。

3. 兼容0.5A小電流USB輸入
   
當輸入電源的電流能力有限，而充電電流很高時(shí)會(huì )有拉低輸入電壓的風(fēng)險，需要動(dòng)態(tài)的配置充電電流，防止系統電壓過(guò)低導致的系統崩潰。的DPM模式能靈活地設置輸入功率限制，動(dòng)態(tài)地的分配實(shí)時(shí)的充電電流，保證輸入電壓恒定。

4. 被動(dòng)均衡功能
   
為了防止單體過(guò)充或者欠充，需要加入主動(dòng)或者被動(dòng)均衡，在保證功耗的基礎上，被動(dòng)均衡的電路簡(jiǎn)單，成本更低。
 
5. 硬件過(guò)充保護
   
當軟件崩潰或者程序錯誤設置時(shí)，需要硬件的保護來(lái)防止電壓過(guò)沖而引起的危險。使用內部比較器并結合芯片本身的HIZ模式可以強制保護充電電壓低于設置的安全門(mén)限值。
      
6. 綜述
   
綜上，可以作為多節的超級電容的升降壓充電方案，自帶power path 功能和DPM功能，軟件配置靈活，硬件保護功能齊全。