ACM86xx EVM整體布局視圖

ACM86xx EVM Top Layer

1） 芯片焊盤(pán)下面的鋪地盡量完整，而且鋪地面積盡量延伸至較寬范圍.

2) 輸出濾波器的接地以最短路徑返回到芯片GND.

3) 電源線(xiàn)走線(xiàn)盡量寬，濾波電容盡 量靠近芯片PVDD管腳.

4) DVDD域的濾波器電容盡量靠近芯片.

5) 輸出濾波器附近地過(guò)孔數量夠，保證最短路徑返回到芯片GND。

ACM86xx EVM Bottom Layer

1） 散熱焊盤(pán)下面刮亮銅皮，芯片下方給足散熱過(guò)孔，建議至少15個(gè)以上

Layer2/3, 內層PVDD電源走線(xiàn)，盡量寬內層GND盡量保持完整

實(shí)際應用案例分析1

問(wèn)題表現：

1）功放芯片啟動(dòng)就無(wú)聲，過(guò)流保護.

2) 大信號播放一段時(shí)間后無(wú)聲，過(guò)熱保護.

原因分析：

1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠，導致功放芯片啟動(dòng)就產(chǎn)生過(guò)流保護.

2) 功放芯片是ACM8629 Pad Up頂部 散熱，芯片上方預留給散熱片的面積空間較小，只能裝比較小的散熱片，大功率播放較長(cháng)時(shí)間后導致整個(gè)PCB以及散熱片溫度越來(lái)越高， 功放芯片過(guò)熱保護.

實(shí)際應用案例分析2

問(wèn)題表現：

1）功放芯片啟動(dòng)就無(wú)聲，過(guò)流保護，甚至燒片.

2) 大信號播放一段時(shí)間后無(wú)聲，過(guò)熱 保護.

原因分析：

1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠，導致功放芯片啟動(dòng)就 產(chǎn)生過(guò)流保護.

2)  輸出電感飽和電流較小，尤其對于 PBTL的輸出電感，需要選擇電流更大 一些的電感.

3) 功放芯片是ACM8629 Pad Up頂部散熱，芯片上方預留給散熱片的面積空間較小，只能裝比較小的散熱片，大功率播放較長(cháng)時(shí)間后導致整個(gè)PCB以及散熱片溫度越來(lái)越高，功放芯片過(guò)熱保護.

實(shí)際應用案例分析3

問(wèn)題表現：

1) 大信號播放一段時(shí)間后無(wú)聲，過(guò)熱 保護.

原因分析：

1）PCB板布局過(guò)于緊湊，功率密度太大，狹小的空間內布局2顆ACM8625P功放.

2) 大功率播放較長(cháng)時(shí)間后導致整個(gè)PCB以及散熱片溫度越來(lái)越高，功放芯片過(guò)熱保護.

實(shí)際應用案例分析4

問(wèn)題表現：

1) EMI 測試通過(guò)失敗原因分析：

1）PCB板布局過(guò)于緊湊，輸出電感無(wú)法靠近功放輸出腳擺放，導致功率輸出的PWM信號走線(xiàn)很長(cháng)，對EMI產(chǎn)生很大挑戰.

2) 雖經(jīng)過(guò)調整，增加輸出Snubber電路，以及調整PWM開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)Spread Spectrum，有所改善，還是不能最終通過(guò)EMI測試要求.

實(shí)際應用案例分析5

問(wèn)題表現：

1)大信號播放一段時(shí)間后無(wú)聲，過(guò)熱保護

原因分析：

1）兩層PCB板設計，PVDD電源將功放周邊的GND銅皮切割成孤島.

2) 在大信號播放時(shí)，功放芯片通過(guò)引 腳和底部散熱片向PCB散熱，由于周邊銅皮被切割成孤島，影響熱量傳導，長(cháng)時(shí)間后芯片過(guò)熱保護.

實(shí)際應用案例分析6

問(wèn)題表現：

1）功放芯片啟動(dòng)就無(wú)聲，過(guò)流保護， 甚至燒片.

原因分析：

1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠，導致功放芯片啟動(dòng)就產(chǎn)生過(guò)流保護.

2)功放的PGND只有一個(gè)過(guò)孔跟BOTTOM層的地相連，功放底部的大片GND也沒(méi)有過(guò)孔跟BOTTOM層相連， 導致電流路徑過(guò)長(cháng)，很不穩定.