驅動(dòng)芯片與MOS管搭建大電流H橋電機驅動(dòng)電路介紹
用半橋/全橋驅動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機驅動(dòng)電路實(shí)現對大電流電機的驅動(dòng)控制。該電機驅動(dòng)板有兩個(gè)H橋電路，可以同時(shí)控制雙路電機�？赏ㄟ^(guò)相應的控制信號來(lái)控制電機的轉速和正反轉。
大電流H橋電機驅動(dòng)電路原理圖
PCB 3D圖
大電流H橋電機驅動(dòng)電路詳解
搭建H橋驅動(dòng)電路一般都包括兩個(gè)部分：半橋/全橋驅動(dòng)芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅動(dòng)所能通過(guò)的電流幾乎由MOS管的導通漏極電流所決定。因此，選擇適當的MOS管，即可設計出驅動(dòng)大電流電機的H橋驅動(dòng)電路。
NMOS管
在選擇MOS管搭建H橋時(shí)，主要需注意以下一些參數：
1.漏極電流（Id）：該電流即限制了所能接入電機的最大電流（一般要選擇大于電機堵轉時(shí)的電流，否則可能在電機堵轉時(shí)燒毀MOS管）。
2.柵源閾值電壓/開(kāi)啟電壓（Vth）：該電壓即MOS管打開(kāi)所需的最小電壓，也將決定后續半橋驅動(dòng)芯片的選擇和設計（即芯片柵極控制腳的輸出電壓）。
3.漏源導通電阻（Rds）：該電阻是MOS管導通時(shí)，漏極和源極之間的損耗內阻，將會(huì )決定電機轉動(dòng)時(shí)，MOS管上的發(fā)熱量，因此一般越小越好。
4.最大漏源電壓（Vds）：該電壓是MOS管漏源之間所能承受的最大電壓，必須大于加在H橋上的電機驅動(dòng)電壓。
半橋驅動(dòng)芯片
在H橋驅動(dòng)電路中，一共需要4個(gè)MOS管。而這四個(gè)MOS管的導通與截止則需要專(zhuān)門(mén)的芯片來(lái)進(jìn)行控制，即要半橋/全橋驅動(dòng)芯片。
所謂半橋驅動(dòng)芯片，便是一塊驅動(dòng)芯片只能用于控制H橋一側的2個(gè)MOS管（1個(gè)高端MOS和1個(gè)低端MOS）。因此采用半橋驅動(dòng)芯片時(shí)，需要兩塊該芯片才能控制一個(gè)完整的H橋。
相應的，全橋驅動(dòng)芯片便是可以直接控制4個(gè)MOS管的導通與截止，一塊該芯片便能完成一個(gè)完整H橋的控制。 |
